Prof.
Kim, Changhyun
Convergence IT Engineering
- Education
1994: Ph.D., EE, University of Michigan
1984: M.S., EE, 서울대학교
1982: B.S., EE, 서울대학교
- Research Interests
생물의학적 응용을 위한 수동/능동형 신경 프로브 설계 및 제작
고속 DRAM 설계 및 DFM 기술
고밀도 NAND 플래시 아키텍처
TSV Tech를 이용한 3차원 메모리
새로운 메모리 개발(PRAM, MRAM, RRAM, FRAM)
고속 I/O 메모리, 전자 부품 및 연결 모듈 제품 개발
뉴로모픽 장치 및 배터리 모델링
- Major Research Achievements
세계 최초의 고속 DRAM 개발 (DRAM, RDRAM, DDR-D램 등)
TSV 기술을 이용한 세계 최초 3차원 메모리 구현
90nm 1.8V 512Mb 다이오드 스위치 PRAM(266MB/s 읽기 처리량 포함)
패드리스 구조의 양면 CMOS-CNT 바이오센서 어레이
- Research Keywords
고성능 및 고속 DRAM/NAND 메모리
3D 메모리
신경 프로브 센서
배터리
리더